RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Comparez
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Note globale
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Note globale
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
42
Autour de -50% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.6
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.4
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
28
Vitesse de lecture, GB/s
10.6
18.6
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
15.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2423
3519
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Ramaxel Technology RMSA3320MJ78HAF-3200 8GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M471B5273EB0-YK0 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link