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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
Comparez
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
Note globale
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Note globale
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
37
42
Autour de -14% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.7
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.4
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
37
Vitesse de lecture, GB/s
10.6
14.7
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
9.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2423
2438
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB Comparaison des RAM
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
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Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
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Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
InnoDisk Corporation 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
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