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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Comparez
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Note globale
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Note globale
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
86
104
Autour de -21% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
891.6
2,404.5
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR2
Latence dans PassMark, ns
104
86
Vitesse de lecture, GB/s
3,192.0
2,444.5
Vitesse d'écriture, GB/s
2,404.5
891.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
6400
Other
Description
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
Timings / Vitesse d'horloge
no data
5-5-5-15 / 800 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
786
322
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparaison des RAM
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB Comparaison des RAM
Corsair CMR64GX4M4C3000C15 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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