RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
Comparez
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
Note globale
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Note globale
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
11.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
74
Autour de -174% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
6.0
2,201.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
74
27
Vitesse de lecture, GB/s
4,178.4
11.7
Vitesse d'écriture, GB/s
2,201.1
6.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
508
1901
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB Comparaison des RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMW64GX4M4E3200C16 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9905663-030.A00G 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUW0C 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link