RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Comparez
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Note globale
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Note globale
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
19.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,201.1
15.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
74
Autour de -196% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
74
25
Vitesse de lecture, GB/s
4,178.4
19.2
Vitesse d'écriture, GB/s
2,201.1
15.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
508
3803
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M2A2800C16 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston 9905625-074.A00G 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905743-034.A00G 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 9905700-047.A00G 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C14 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
Corsair CMK16GX4M1D3000C16 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link