RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
Comparez
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Kingston 9965600-018.A00G 16GB
Note globale
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Note globale
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
10.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
74
Autour de -131% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.9
2,201.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
74
32
Vitesse de lecture, GB/s
4,178.4
10.4
Vitesse d'écriture, GB/s
2,201.1
8.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
508
2386
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB Comparaison des RAM
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180U 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link