RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Inmos + 256MB
Comparez
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Inmos + 256MB
Note globale
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Note globale
Inmos + 256MB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
11.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Inmos + 256MB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
73
Autour de -143% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.1
1,423.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
16800
5300
Autour de 3.17 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Inmos + 256MB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
73
30
Vitesse de lecture, GB/s
3,510.5
11.5
Vitesse d'écriture, GB/s
1,423.3
9.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
16800
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-16800, TBD1 V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
no data
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
476
2318
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Inmos + 256MB Comparaison des RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Inmos + 256MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
AMD R744G2133U1S 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMK32GX4M4C3400C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Kingston XN205T-MIE 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905630-005.A00G 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905678-042.A00G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Hewlett-Packard 7EH99AA# 16GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link