RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Comparez
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Note globale
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Note globale
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
14.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
44
73
Autour de -66% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.6
1,423.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
5300
Autour de 4.83 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
73
44
Vitesse de lecture, GB/s
3,510.5
14.9
Vitesse d'écriture, GB/s
1,423.3
11.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
25600
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
476
2191
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston 9965640-004.C00G 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 99U5625-015.A00G 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BDBS 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 9905734-062.A00G 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link