RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Comparez
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Note globale
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Note globale
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
15.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
69
Autour de -188% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.4
1,441.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
5300
Autour de 3.62 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
69
24
Vitesse de lecture, GB/s
3,325.1
15.5
Vitesse d'écriture, GB/s
1,441.2
10.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
19200
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
525
2654
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB Comparaison des RAM
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMU32GX4M4A2666C16 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
SK Hynix 8GB36-H9 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link