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Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Comparez
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Note globale
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Note globale
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
12.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
69
Autour de -165% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.7
1,441.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
69
26
Vitesse de lecture, GB/s
3,325.1
12.6
Vitesse d'écriture, GB/s
1,441.2
8.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
525
2257
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Comparaison des RAM
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Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB Comparaison des RAM
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Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2133C15-8GFT 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
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Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9965640-035.C00G 32GB
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