RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
Comparez
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB vs Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
Note globale
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Note globale
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
14.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
68
Autour de -162% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.0
1,702.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
68
26
Vitesse de lecture, GB/s
3,886.6
14.4
Vitesse d'écriture, GB/s
1,702.6
11.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
654
3078
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB Comparaison des RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB Comparaison des RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston XF875V-MIH 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8XR 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9905702-008.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14M 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link