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Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Comparez
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB vs Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Note globale
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Note globale
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
15.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
35
68
Autour de -94% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.8
1,702.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
68
35
Vitesse de lecture, GB/s
3,886.6
15.4
Vitesse d'écriture, GB/s
1,702.6
11.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
654
2926
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB Comparaison des RAM
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
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