RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Comparez
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB vs G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Note globale
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Note globale
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
17000
Autour de 1.51% bande passante supérieure
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
21
50
Autour de -138% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20.6
15.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
20.0
10.9
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
50
21
Vitesse de lecture, GB/s
15.3
20.6
Vitesse d'écriture, GB/s
10.9
20.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
17000
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2512
4170
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB Comparaison des RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingston 9965669-008.A03G 16GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link