RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Comparez
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Note globale
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Note globale
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
21300
Autour de 1.2% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
19
38
Autour de -100% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20
15.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
17.5
12.0
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
38
19
Vitesse de lecture, GB/s
15.5
20.0
Vitesse d'écriture, GB/s
12.0
17.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
21300
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2283
3499
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CM4X8GE2400C14K4 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Kingston 9905625-139.A00G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Apacer Technology 78.CAGMR.ARC0B 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link