RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Comparez
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Note globale
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Note globale
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.0
11.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
21300
Autour de 1.2% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
35
38
Autour de -9% latence réduite
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
38
35
Vitesse de lecture, GB/s
15.5
15.5
Vitesse d'écriture, GB/s
12.0
11.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
21300
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2283
2903
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMW64GX4M8X3600C18 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link