RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Comparez
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Note globale
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Note globale
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
38
48
Autour de 21% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.0
8.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.5
15.5
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
38
48
Vitesse de lecture, GB/s
15.5
17.5
Vitesse d'écriture, GB/s
12.0
8.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
25600
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2283
2196
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB Comparaison des RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
INTENSO M418039 8GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Kingston 9905678-014.A00G 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4Z2933C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link