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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Comparez
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Note globale
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Note globale
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
17000
Autour de 1.51% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
38
Autour de -15% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.5
15.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.8
12.0
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
38
33
Vitesse de lecture, GB/s
15.5
17.5
Vitesse d'écriture, GB/s
12.0
15.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
17000
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2283
3482
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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