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Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Comparez
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB vs Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Note globale
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Note globale
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
12.1
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.6
6.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
12800
8500
Autour de 1.51% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
43
Autour de -43% latence réduite
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR3
Latence dans PassMark, ns
43
30
Vitesse de lecture, GB/s
12.1
10.6
Vitesse d'écriture, GB/s
7.6
6.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
8500
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
7-7-7-20 / 1066 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2034
1479
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB Comparaison des RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparaison des RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
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Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMD128GX4M8A2400C14 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Avant Technology W641GU42J7240NC 8GB
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