RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Comparez
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Note globale
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Note globale
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
38
45
Autour de -18% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.1
11.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.8
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
45
38
Vitesse de lecture, GB/s
11.9
14.1
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
8.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2077
2483
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905743-044.A00G 16GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Corsair CM4X16GE2400C14K4 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Avant Technology W641GU67J7240N8 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3000C15 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston 9905678-027.A00G 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link