RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
Comparez
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
Note globale
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
45
Autour de -45% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.2
11.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.8
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
45
31
Vitesse de lecture, GB/s
11.9
18.2
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
15.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2077
3672
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB Comparaison des RAM
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 9905622-025.A01G 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link