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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Comparez
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Note globale
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
11.9
11.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
34
45
Autour de -32% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.5
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
45
34
Vitesse de lecture, GB/s
11.9
11.1
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
9.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2077
2319
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
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Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
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