RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Comparez
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Note globale
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Note globale
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
47
Autour de -81% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.6
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.8
8.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
47
26
Vitesse de lecture, GB/s
11.8
14.6
Vitesse d'écriture, GB/s
8.0
11.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2061
3124
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB Comparaison des RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
King Tiger Technology Tigo-X3-3200MHz-8G 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMK32GX4M4B4000C19 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link