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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Inmos + 256MB
Comparez
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Inmos + 256MB
Note globale
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Note globale
Inmos + 256MB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
11.8
11.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Inmos + 256MB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
47
Autour de -57% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.1
8.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
16800
12800
Autour de 1.31 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Inmos + 256MB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
47
30
Vitesse de lecture, GB/s
11.8
11.5
Vitesse d'écriture, GB/s
8.0
9.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
16800
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-16800, TBD1 V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
no data
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2061
2318
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Inmos + 256MB Comparaison des RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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