RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Comparez
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Note globale
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Note globale
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
45
Autour de -55% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.8
12
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.8
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
45
29
Vitesse de lecture, GB/s
12.0
17.8
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
14.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1939
3597
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Comparaison des RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingston 9965643-006.A01G 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Aquarius Production Company LLC 16G-D4-2666-MR 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link