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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
Comparez
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
Note globale
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Note globale
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
39
45
Autour de -15% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.9
12
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.3
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
12800
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
45
39
Vitesse de lecture, GB/s
12.0
14.9
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
11.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
25600
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1939
2771
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Comparaison des RAM
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Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
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Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905678-027.A00G 8GB
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