RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Comparez
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Note globale
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Note globale
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
45
71
Autour de 37% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.0
7.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.8
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
45
71
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
14.8
Vitesse d'écriture, GB/s
8.0
7.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1992
1799
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9965640-035.C00G 32GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZC0B 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMK32GX4M2Z3600C18 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link