RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Comparez
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Note globale
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Note globale
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
45
Autour de -61% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.3
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.4
8.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
45
28
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
17.3
Vitesse d'écriture, GB/s
8.0
13.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1992
3325
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Kingston KHX2400C14S4/16G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905622-051.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C15 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston HP32D4U2S8ME-16 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Hewlett-Packard 7EH74AA#ABC 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMU64GX4M4C3200C16 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9905599-029.A00G 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link