RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Comparez
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Note globale
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Note globale
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
45
70
Autour de 36% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.0
7.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.7
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
45
70
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
15.7
Vitesse d'écriture, GB/s
8.0
7.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1992
1934
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Kingston 9905599-026.A00G 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3200C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Kingston 9905744-027.A00G 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link