RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9965669-025.A00G 8GB
Comparez
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Kingston 9965669-025.A00G 8GB
Note globale
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Note globale
Kingston 9965669-025.A00G 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Kingston 9965669-025.A00G 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
45
Autour de -96% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.8
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.5
8.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9965669-025.A00G 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
45
23
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
15.8
Vitesse d'écriture, GB/s
8.0
9.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1992
2639
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Kingston 9965669-025.A00G 8GB Comparaison des RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
King Tiger Technology Tigo-X3-3200MHz-8G 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9905701-018.A00G 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30CEST.16FD 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link