RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Comparez
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Note globale
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Note globale
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
45
Autour de -96% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.4
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.7
8.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
45
23
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
16.4
Vitesse d'écriture, GB/s
8.0
11.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1992
2575
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BDBS 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Apacer Technology 78.CAGP7.40C0B 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9905624-036.A00G 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link