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Samsung M471B5273BH1-CF8 4GB
SK Hynix HMT351S6AFR8C-G7 4GB
Comparez
Samsung M471B5273BH1-CF8 4GB vs SK Hynix HMT351S6AFR8C-G7 4GB
Note globale
Samsung M471B5273BH1-CF8 4GB
Note globale
SK Hynix HMT351S6AFR8C-G7 4GB
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Samsung M471B5273BH1-CF8 4GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
36
Autour de -20% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
12
7.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.0
6.6
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5273BH1-CF8 4GB
SK Hynix HMT351S6AFR8C-G7 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR3
Latence dans PassMark, ns
36
30
Vitesse de lecture, GB/s
7.6
12.0
Vitesse d'écriture, GB/s
6.6
7.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
8500
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
7-7-7-20 / 1066 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
867
1948
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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