RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Comparez
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Note globale
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Note globale
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
40
48
Autour de -20% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
11.3
8.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.5
5.9
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR3
Latence dans PassMark, ns
48
40
Vitesse de lecture, GB/s
8.9
11.3
Vitesse d'écriture, GB/s
5.9
7.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
10600
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1420
1654
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
KingSpec KingSpec 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
Corsair CMK32GX4M4K4333C19 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9965589-007.D01G 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
Kingston 9905403-003.B00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston 9905622-075.A00G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link