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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000 16GB
Comparez
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000 16GB
Note globale
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Note globale
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000 16GB
Différences
Spécifications
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Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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Raisons de considérer
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000 16GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
48
Autour de -60% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.9
8.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.4
5.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
48
30
Vitesse de lecture, GB/s
8.9
16.9
Vitesse d'écriture, GB/s
5.9
13.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1420
3257
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000 16GB Comparaison des RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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