RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Comparez
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Note globale
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
8.9
8.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
5.9
5.0
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
37
48
Autour de -30% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
48
37
Vitesse de lecture, GB/s
8.9
8.8
Vitesse d'écriture, GB/s
5.9
5.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1420
1967
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N-UH 32GB Comparaison des RAM
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905713-017.A00G 4GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Corsair CMSX64GX4M4A2400C16 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMK32GX4M4K4133C19 8GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link