RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Comparez
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Note globale
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Note globale
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
48
Autour de -78% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.7
8.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.9
5.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
48
27
Vitesse de lecture, GB/s
8.9
13.7
Vitesse d'écriture, GB/s
5.9
9.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1420
2347
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Apacer Technology 78.C2GF2.AU00B 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston HP32D4U2S1ME-8 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link