RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Comparez
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Note globale
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Note globale
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
47
Autour de -104% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.5
9.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.2
5.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
47
23
Vitesse de lecture, GB/s
9.3
17.5
Vitesse d'écriture, GB/s
5.9
13.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1413
3171
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Apacer Technology 75.A73AA.G03 2GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston 99U5678-029.A00G 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Kingston 9905713-008.A00G 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.8FE 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
King Tiger Technology TMKG8G3000C17(XMP) 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C16 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston 9965662-012.A01G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link