RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB
Comparez
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB
Note globale
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
41
67
Autour de 39% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.3
6.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.0
3.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB
Signaler un bogue
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR3
Latence dans PassMark, ns
41
67
Vitesse de lecture, GB/s
13.3
6.2
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
3.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
12800
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2016
1076
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB Comparaison des RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB Comparaison des RAM
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2133C13 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905701-029.A00G 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9905712-009.A00G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link