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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FR 16GB
Comparez
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FR 16GB
Note globale
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Note globale
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FR 16GB
Différences
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Raisons de considérer
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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Raisons de considérer
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FR 16GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
36
40
Autour de -11% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19.5
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.0
8.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FR 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
40
36
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
19.5
Vitesse d'écriture, GB/s
8.9
14.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1789
3396
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMSO8GX3M2C1600C11 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905663-008.A00G 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
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