RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Comparez
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Note globale
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
18
40
Autour de -122% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20.6
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
18.6
8.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
40
18
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
20.6
Vitesse d'écriture, GB/s
8.9
18.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1789
3607
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Comparaison des RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston 9905630-066.A00G 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
King Tiger Technology Tigo-X3-3200MHz-8G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CM4B16G7L2666A16K2-O 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C16 4GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link