RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Comparez
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Note globale
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
40
Autour de -82% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.2
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.6
8.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
40
22
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
18.2
Vitesse d'écriture, GB/s
8.9
15.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1789
3515
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Comparaison des RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB Comparaison des RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9905701-018.A00G 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Apacer Technology D22.23263S.002 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link