RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Comparez
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Note globale
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Note globale
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
12.3
11.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.9
8.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
40
Autour de -21% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
40
33
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
11.2
Vitesse d'écriture, GB/s
8.9
8.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1789
2284
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Comparaison des RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Kingston 9905625-074.A00G 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Essencore Limited KD48GS88A-26N1600 8GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston 9965662-008.A01G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link