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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB
Comparez
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB
Note globale
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Note globale
Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB
Différences
Spécifications
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Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
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Raisons de considérer
Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
30
Autour de -3% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.3
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.5
6.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
8500
Autour de 2.51 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
30
29
Vitesse de lecture, GB/s
10.6
17.3
Vitesse d'écriture, GB/s
6.8
14.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
21300
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1479
3395
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Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB Comparaison des RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
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Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
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Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
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Corsair CMW64GX4M4Z2933C16 16GB
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