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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Comparez
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Note globale
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Note globale
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Différences
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Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
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Raisons de considérer
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
30
Autour de -7% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.9
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.9
6.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
8500
Autour de 2.51 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
30
28
Vitesse de lecture, GB/s
10.6
17.9
Vitesse d'écriture, GB/s
6.8
14.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
21300
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1479
3460
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparaison des RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
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