RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
Comparez
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
Note globale
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Note globale
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
35
Autour de 14% latence réduite
Raisons de considérer
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.4
6.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
8500
Autour de 2.26 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
30
35
Vitesse de lecture, GB/s
10.6
17.0
Vitesse d'écriture, GB/s
6.8
12.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
19200
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1479
2982
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparaison des RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston 9905678-110.A00G 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMK64GX4M4X4000C18 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMK8GX4M2B4133C19 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Micron Technology 8JTF25664HZ-1G6M1 2GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMD64GX4M4C3000C15 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link