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Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
Comparez
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB vs Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
Note globale
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Note globale
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
38
50
Autour de 24% latence réduite
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.2
7.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.1
3.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
38
50
Vitesse de lecture, GB/s
7.2
17.2
Vitesse d'écriture, GB/s
3.0
13.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
915
3277
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB
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Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
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