RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Essencore Limited KD48GS88J-26N1900 8GB
Comparez
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB vs Essencore Limited KD48GS88J-26N1900 8GB
Note globale
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Note globale
Essencore Limited KD48GS88J-26N1900 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Essencore Limited KD48GS88J-26N1900 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
38
Autour de -65% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.4
7.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.3
3.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Essencore Limited KD48GS88J-26N1900 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
38
23
Vitesse de lecture, GB/s
7.2
16.4
Vitesse d'écriture, GB/s
3.0
13.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
915
2904
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5773DH0-YK0 2GB
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB
Essencore Limited KD48GS88J-26N1900 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Essencore Limited KD48GS88J-26N1900 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link