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Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Comparez
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Note globale
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Différences
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Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
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Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
31
Autour de -11% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
11.8
9.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.9
6.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
12800
10600
Autour de 1.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR3
Latence dans PassMark, ns
31
28
Vitesse de lecture, GB/s
9.8
11.8
Vitesse d'écriture, GB/s
6.7
7.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
12800
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1304
1920
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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