RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
Comparez
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB vs Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
Note globale
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Note globale
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
30
Autour de 10% latence réduite
Raisons de considérer
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.5
12.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.7
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
30
Vitesse de lecture, GB/s
12.2
17.5
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
13.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1763
3205
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NF-CG 2GB
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
INTENSO 5641152 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905678-102.A00G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston 9905678-105.A00G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link