RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Comparez
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB vs G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Note globale
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
27
Autour de -23% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.9
12.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.8
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
22
Vitesse de lecture, GB/s
12.2
17.9
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
13.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1763
3297
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NF-CG 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston 9905665-021.A00G 4GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Kingston 9905712-010.A00G 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston 9905700-012.A00G 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link