RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
Comparez
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
Note globale
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Note globale
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.2
12.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.6
11.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
17000
Autour de 1.25% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
46
Autour de -70% latence réduite
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
27
Vitesse de lecture, GB/s
14.2
12.8
Vitesse d'écriture, GB/s
13.6
11.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
21300
17000
Other
Description
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2717
2785
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMW32GX4M2Z2933C16 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link